Etude par diffusion raman de l'interaction phonon-porteurs libres dans les semiconducteurs dopes : application au gaas implante be ou epitaxie si
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Auteur / Autrice : | Mohamed Gargouri |
Direction : | Claude Schwab |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Physique |
Date : | Soutenance en 1986 |
Etablissement(s) : | Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008) |
Résumé
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Evolution des profils en fonction de la realisation de ces couches. Il est possible de determiner les caracteristiques de ces couches par une methode non destructive