Thèse soutenue

Etude par diffusion raman de l'interaction phonon-porteurs libres dans les semiconducteurs dopes : application au gaas implante be ou epitaxie si
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Auteur / Autrice : Mohamed Gargouri
Direction : Claude Schwab
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Physique
Date : Soutenance en 1986
Etablissement(s) : Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008)

Résumé

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Evolution des profils en fonction de la realisation de ces couches. Il est possible de determiner les caracteristiques de ces couches par une methode non destructive