Thèse soutenue

Propriétés optiques non-linéaires dans les matériaux photoréfractifs de la famille des sillénites (Bi₁₂ SiO₂₀, Bi₁₂ Ge0₂₀) et application à l'interconnexion dynamique

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Auteur / Autrice : Gilles Pauliat
Direction : Gérald Roosen
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Physique
Date : Soutenance en 1986
Etablissement(s) : Paris 11
Partenaire(s) de recherche : Autre partenaire : Université de Paris-Sud. Faculté des sciences d'Orsay (Essonne)

Résumé

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Dans ce mémoire, nous nous intéressons à la réalisation d'une cellule de déflexion optique. Le faisceau à réfléchir est incident sur un réseau dynamique induit à partir de la figure d'interférence de deux ondes planes dans un cristal photoréfractif. Les modifications simultanées, du pas du réseau d'une part et de l'orientation de ses strates d'autre part, permettent d'adresser le faisceau vers une direction de l'espace tout en conservant une efficacité de diffraction maximale. Les propriétés des cristaux photoréfractifs d'Oxyde de Bismuth et de Silicium (Bi₁₂ Si O₂₀ ) et d'Oxyde de Bismuth et de Germanium (Bi₁₂ Ge O₂₀) utilisés pour cette application sont ensuite étudiées plus en détail. Nous traitons d'abord de la diffraction d'une onde plane par un réseau épais enregistré dans des milieux présentant simultanément de la biréfringence circulaire et linéaire tels que les cristaux de Bi₁₂ Si O₂₀. Cette étude nous permet de déterminer les caractéristiques (amplitudes, phases et polarisations) des ondes transmises ct diffractées. Les résultats ainsi obtenus permettent d'améliorer l'efficacité de diffraction ainsi que le rapport signal (intensité de l'onde diffractée) à bruit (intensité de l'onde transmise). Nous exposons ensuite une méthode optique de caractérisation de ces cristaux. Nous avons ainsi mesuré, pour différents échantillons, tous les paramètres physiques dont dépend l'effet photoréfractif dans des expériences menées en régime d'excitation continu : - la constante de temps de relaxation diélectrique ; la longueur de diffusion des porteurs libres ; - la densité de centres accepteurs ; - la durée de mémorisation ; - le signe des porteurs libres. Des variations importantes de ces paramètres entre différents échantillons sont mises en évidence.