Spectre d'émission X d'ions silicium par la méthode ''faisceau-feuille''

X-ray emission spectrum of silicon ions by the ''beam-foil'' method

• Auteur / Autrice : Jean-Paul Mosnier
• Direction : Christiane Bonnelle
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1986
• Etablissement(s) : Paris 6

Mots clés

Mots clés contrôlés

Ionisation

Excitation électronique

Spectroscopie des rayons X

Mots clés libres

Etude expérimentale

Méthode faisceau feuille

Excitation

Etat électronique excité

Emission RX

Haute énergie

Raie satellite

Etude théorique

Théorie Dirac Fock

Silicium ion atomique

Carbone

Approximation multiconfigurationnelle

Experimental Study

Beam Foil Method

Excitation

Electronically Excited State

X Ray Emission

High Energy

Satellite Line

Theoretical Study

Dirac Fock Theory

Silicon Atomic Ions

Multiconfiguration Approximation

Résumé

Analyse du spectre de rayons X émis après la traversée d'une feuille de C par un faisceau d'ions de Si de 44mev. Identification des raies satellites observées à partir de résultats théoriques par la méthode de Dirac-fock multiconfigurationnelle; mise en évidence de plusieurs configurations ayant un électron m. Par analyse des spectres à partir des valeurs calculées des rapports de branchement, confirmation d'un processus de population statistique des états excités initiaux associés à une même configuration électronique. Effet de la réponse du gaz d'électrons libres de la cible sur l'énergie de la raie de résonnance.