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des thèses françaises
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Épitaxie des alliages Ge₁₋ₓ Siₓ sur silicium et sur arsenure de gallium par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma
FR |
EN
| Auteur / Autrice : | Jean-Marc Siffre |
| Direction : | J. Richard |
| Type : | Thèse de doctorat |
| Discipline(s) : | Physique |
| Date : | Soutenance en 1986 |
| Etablissement(s) : | Nice |
Mots clés
FR
Résumé
FR
Étude de 3 types de méthodes de dépôt. Discussion sur les cinétiques de croissance sur la composition des couches. Caractérisation électrique