Incidence de la technologie de diffusion soufre sur les propriétés photoélectriques de jonctions n+/p InP

Effects of sulfur diffusion technology on the photoelectrical properties of n**(+)/p inp

• Auteur / Autrice : Blaise Maloumbi
• Direction : Michel Savelli
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Composants électroniques et optiques
• Date : Soutenance en 1986
• Etablissement(s) : Montpellier 2

Mots clés

Mots clés contrôlés

Indium

Diffusion (physique)

Soufre

Photoélectricité

Diodes à semiconducteur

Résumé

On decrit les effets de la diffusion du soufre a 700**(o)c dans inp dope zn en caracterisant successivement le substrat soumis au traitement thermique de diffusion, la couche diffusee n**(+), la jonction resultante. On constate un accroissement de la densite de trous, la degradation des proprietes photoelectriques et de luminescence apres le traitement thermique du substrat. L'etude de la couche diffusee montre que la diffusion ne suit pas la loi classique en erfc; des densites d'electrons en surface aussi elevees que 10**(19-3) cm sont atteintes. Des jonctions n**(+)/p de tres bonne qualite ont ete obtenues, leurs proprietes photoelectriques sont discutees