Sur un nouveau modèle de l'interaction électron-impureté dans les semiconducteurs
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Auteur / Autrice : | François Perri |
Direction : | Jacques Zimmermann |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Électronique |
Date : | Soutenance en 1986 |
Etablissement(s) : | Lille 1 |
Mots clés
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Mots clés contrôlés
Résumé
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Modèle original élaboré à l'aide de la méthode de Monte-Carlo et qui permet de prendre en compte les non-uniformités spatiales de concentrations de porteurs et d'impuretés. Cette méthode permet de déterminer la vitesse de dérive des porteurs en fonction de leur densité et de la concentration d'impuretés. Application à l'étude de la vitesse de dérive d'électrons dans une jonction n+n AsGa