Thèse soutenue

Caractérisation in situ par ellipsométrie et photoluminescence de l'interaction de plasmas multipolaires d’hydrogène et d'azote avec la surface (100) de GaAS

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Auteur / Autrice : Daniel Arnoult
Direction : Jean-Bernard Theeten
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Electronique
Date : Soutenance en 1986
Etablissement(s) : Lyon, INSA
Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Laboratoires d'électronique et de physique appliquée (France)

Mots clés

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Mots clés contrôlés

Résumé

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Le dépôt d'une couche de diélectrique sur GaAs entraîne généralement une forte densité d'états d'interface. Ceci exclue par conséquent toute technologie M. I. S. (Métal-Isolant-Semiconducteur) et peut conduire à des effets parasites dans les M. E. S. F. E. T. (Transistors à effet de champ barriére Shottkyy) tels que des courants de fuite. L ' origine de ces états n'est pas clairement connue mais les défauts de stœchiométrie (antisites,Arsenic libre) jouent très certainement un rôle important. Pour remédier à ces problèmes nous avons utilisé un schéma de passivation faisant appel à des traitements par plasmas multipolaires détériorant le moins possible la surface: -désoxydation par plasma d ' hydrogène ; -passivation par plasma d ' azote ; -dépôt diélectrique protecteur (Si3N4). Le travail effectué a d ' abord consisté en la conception et la mise au po1nt d'un dispositif expérimental (sas d’introduction- chambre nettoyage/ passivation-chambre dépôt diélectrique> en technologie ultravide. Le suivi et le contrôle des divers traitements a été rendu possible grâce aux mesures d'éllipsométrie et de photoluminescence in situ. Nous sommes ainsi parvenu : - d'une part à désoxyder complètement une surface de GaAs par un plasma d'hydrogène à 200"C, - d'autre part à améliorer les conditions de passivation lors des plasmas d'azote.