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Etude des défauts électriquement actifs induits par le recuit rapide isotherme dans le silicium
| Auteur / Autrice : | Mohamed Remram |
| Direction : | André Laugier |
| Type : | Thèse de doctorat |
| Discipline(s) : | Sciences des matériaux - Electronique des matériaux semiconducteurs |
| Date : | Soutenance en 1986 |
| Etablissement(s) : | Lyon, INSA |
| Partenaire(s) de recherche : | Laboratoire : LPM - Laboratoire de Physique de la Matière (1961-2007) |
Mots clés
Mots clés contrôlés
Résumé
Nous avons utilisé la technique de spectroscopie capacitive (DLTS) pour étudier les défauts électriquement actifs introduits par le recuit rapide isotherme (RRI) dans le silicium vierge ou implanté. Aucun niveau piège n'a été détecté dans une structure Schottky Au-Si dopé Phosphore et recuit pendant 5 s, à différentes températures. D'un autre côté, trois niveaux pièges à trous Hl (O,4 eV), H2 (0,29 eV) et H3 (0,31 eV) ont été observés dans le silicium dopé bore (Al-Si(p)) et recuit pendant 5 s entre 850 et 1050°C. Pour les temps de recuit de 10 s et 20h aucun niveau n'a été observé. Les pics de concentration de ces pièges se situent entre 10(exp13) et 10(exp14) cm (exp-3) pour les températures de paliers supérieures ou égales à l000°C. Dans le silicium dopé bore et implanté As+ ou PF5+ ; et recuit RRI, le niveau H3 (0,31 eV) est remplacé par un autre niveau piège à trous H4 (O,4 eV) qui apparaît avec des conditions spécifiques (paramètres RRI, dose et espèce des ions imp1antés). Un seul niveai piège à électrons E(0,6 eV) a été détecté à forte dose d'ions arsenic (0,4(exp15) et 10(exp16) cm(exp-3 ) et à des températures de recuit de 1l00°C pendant 10 s. L'origine des défauts observés, probablement liée aux impuretés métalliques, et la dépendance de la concentration des défauts des paramètres RRI peuvent être expliquées par un modèle faisant appel à deux mécanismes possibles : piégeage en site interstitiel et effet gettering.