Étude des propriétés de transport dans des couches de silicium désordonnées par implantation ionique à forte dose : influence du recuit thermique

Thermal annealing effect on transport properties of silicon layers damaged by high dose ionic implantation

• Auteur / Autrice : Constantinos Christofides
• Direction : Georges Kamarinos
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Électronique
• Date : Soutenance en 1986
• Etablissement(s) : Grenoble INPG

Mots clés

Mots clés libres

Physique

Etat condense

Proprietes electriques

Magnetiques

Optiques

Phenomene transport

Conductivite electronique

Effet hall

Frequence

Systeme desordonne

Implantation ion

Etude experimentale

Non metal

Recuit

Silicium

Transport process

Electronic conductivity

Hall effect

Frequency

Disordered system

Ion implantation

Experimental study

Non metal

Annealing

Silicon

Résumé

Des mesures d'effet hall en fonction de la temperature et de la frequence. Effet de la temperature de recuit sur les coefficients de transport electronique. Les mecanismes de collision sont modifies pour des temperatures de recuit superieures a 500-600**(o)c. Interpretation des resultats par des modeles bases sur l'ordre a courte et longue portee