Étude du vieillissement de transistors MOS submicroniques soumis à une contrainte électrique
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Auteur / Autrice : | Béatrice Cabon |
Direction : | Pierre Gentil |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Microélectronique |
Date : | Soutenance en 1986 |
Etablissement(s) : | Grenoble INPG |
Résumé
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La degradation des caracteristiques electriques statiques de transistor mos sbmicroniques est etudiee apres une contrainte electrique de longue duree du transistor polarise en saturation. De nouvelles methodes de caracterisation du transistor sont proposees. Un modele analytique unidimensionnel de degradation des principaux parametres est presente, et permet de correler ces differents parametres de degradation