Thèse soutenue

Étude du vieillissement de transistors MOS submicroniques soumis à une contrainte électrique
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Auteur / Autrice : Béatrice Cabon
Direction : Pierre Gentil
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Microélectronique
Date : Soutenance en 1986
Etablissement(s) : Grenoble INPG

Résumé

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La degradation des caracteristiques electriques statiques de transistor mos sbmicroniques est etudiee apres une contrainte electrique de longue duree du transistor polarise en saturation. De nouvelles methodes de caracterisation du transistor sont proposees. Un modele analytique unidimensionnel de degradation des principaux parametres est presente, et permet de correler ces differents parametres de degradation