On localized states and doping of hydrogenated amorphous silicon

• Auteur / Autrice : Didier Jousse
• Direction : Alain Deneuville
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences physiques
• Date : Soutenance en 1986
• Etablissement(s) : Université Joseph Fourier (Grenoble, Isère, France ; 1971-2015)

Mots clés

Mots clés libres

Physique

Etat condense

Proprietes electriques

Magnetiques

Optiques

Etude experimentale

Structure electronique

Etat localise

Etat amorphe

Resonance paramagnetique electronique

Spectrometrie optothermique

Diode barriere schottky

Absorption ir

Absorption visible

Impurete

Hydrogene|sec

Bore|sec

Arsenic|sec

Liaison disponible

Cavite dans reseau

Silicium|sub

Niveau defaut

Experimental study

Electronic structure

Localized state

Amorphous state

Electron paramagnetic resonance

Optothermal spectrometry

Schottky barrier diode

Infrared absorption

Visible absorption

Impurity

Hydrogen

Boron

Arsenic

Dangling bond

Void

Silicon

Defect level

Résumé

Etude par photodeflection thermique, resonance paramagnetique electronique, absorption optique et mesures de la photoconductivite et de capacite de diode schottky. Identification de defauts diamagnetiques, associes a la presence de microcavites et des liaisons disponibles comme defauts principaux dans a-si:h non dope, les liaisons disponibles devenant dominantes dans le cas de dopage par b ou as; mise en evidence d'un elargissement de la queue de bande de valence pour des rapports dopant/silicium superieurs a 0,1%at; signature des niveaux de la liaison disponible