Contribution à la compréhension et à la modélisation des phénomènes d'injection de porteurs chauds dans les dispositifs MOS submicroniques
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Auteur / Autrice : | Antoine Pavlin |
Direction : | Pierre Viktorovitch |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Sciences. Électronique. Dispositifs de l'électronique intégrée |
Date : | Soutenance en 1986 |
Etablissement(s) : | Ecully, Ecole centrale de Lyon |
Partenaire(s) de recherche : | Laboratoire : Laboratoire d'électronique, optoélectronique et microsystèmes (Ecully, Rhône) |
Mots clés
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Mots clés contrôlés
Résumé
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Mise au point d'un modele analytique en accord avec les resultats experimentaux pour la simulation du courant injecte. Les mesures ont amene a justifier un comportement contradictoire de la variation des porteurs chauds par le caractere de microrugosite de l'interface si-sio::(2)