Etude d'interfaces metaux semi-conducteurs par differentes techniques d'analyse

Study of metals-semiconductors interfaces by different analysis techniques

• Auteur / Autrice : Pierre Claverie
• Direction : PAUL BONDOT
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences appliquées. Physique
• Date : Soutenance en 1986
• Etablissement(s) : Clermont-Ferrand 2

Mots clés

Mots clés libres

Sciences appliquees

Physique

Metaux, metallurgie

Etat condense

Proprietes mecaniques et thermiques

Structure surface

Epitaxie

Interface solide solide

Diffraction rx

Etude experimentale

Croissance cristalline

Metal transition

Spectrometrie emission

Face cristalline

Reconstruction surface

Condensation faisceau moleculaire

Incidence rasante

Gallium arseniure

Indium phosphure

Metal pur pt

Surface structure

Epitaxy

Solid solid interface

X ray diffraction

Experimental study

Crystal growth

Transition metal

Emission spectrometry

Crystal face

Surface reconstruction

Molecular beam condensation

Grazing incidence

Gallium arsenides

Indium phosphides

Résumé

Approche par photoemission angulaire du debut de croissance heterogene du platine depose sur une surface (110) clivee ''in situ'' de l'inp. Etude par diffraction de rayons x en incidence rasante de la structure de surface de gaab reconstruite par epitaxie par jets moleculaires, ou en interaction avec de l'argent epitaxie