Croissance du semiconducteur Pb₁₋ₓSnₓ,Te en configuration ''3 zones'' par PVT : aspects thermodynamique et hydrodynamique, caractérisation

Growth of the semiconductorPb₁₋ₓSnₓ,Te by pvt in a ''3 zones'' configuration. Thermodynamic and hydrodynamic aspects. Characterizations

• Auteur / Autrice : Christine Bourda-Salducci
• Direction : Jean-Claude Launay
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences des matériaux
• Date : Soutenance en 1986
• Etablissement(s) : Bordeaux 1

Résumé

La croissance du semiconducteur Pb₁₋ₓSnₓ,Te (x<0,30) a été optimisée par sélection d'un profil de températures (3 zones) pour chaque composition. Une étude thermodynamique a permis d'accéder aux pressions partielles des espèces gazeuses (PbTeg, SnTeg et Te2g essentiellement) en supposant l'évaporation ''pseudo-congruente''. Un calcul hydrodynamique a montré l'influence néfaste du tellure en excès sur la croissance. Les caractérisations électriques ont été effectuées et un ''modèle'' mettant en jeu des niveaux d'impuretés liés aux lacunes de métal et de chalcogène a été proposé. La qualité cristalline des cristaux obtenus a été mise en évidence par diffraction des rayons X et leur homogénéité par analyse à la microsonde de Castaing