1995-09-18T23:59:59Z
2021-06-28T11:06:19Z
Croissance du semiconducteur Pb1-xSnxTe en configuration "3 zones" par PVT : aspects thermodynamique et hydrodynamique, caractérisation
1986
1986-01-01
Optimisation de la croissance par selection d'un profil de temperatures pour chaque composition. Caracterisation electrique et proposition d'un modele mettant en jeu des niveaux d'impuretes liees aux lacunes de metal et de chalcogene. Etude par diffraction rx de la qualite cristalline et par microsonde de l'homogeneite
Bourda-Salducci, Christine
Launay, Jean-Claude
Bordeaux 1