Couches minces de fluorures du groupe II-A : application à la passivation de InP

• Auteur / Autrice : Hervé Ricard
• Direction : Albert-Serge Barrière
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences appliquées
• Date : Soutenance en 1986
• Etablissement(s) : Bordeaux 1
• Jury : Président / Présidente : André Charru
• Jury : Examinateurs / Examinatrices : Albert-Serge Barrière, André Charru, Gabriel Couturier, Yves Danto, B. Desbat, L. Lassabatère, D. Lecrosnier, J. Salardenne

Mots clés

Mots clés contrôlés

Microélectronique

Circuits intégrés -- Passivation

Couches minces semiconductrices

Résumé

Des films de Ba₁₋₋ₓSrₓF₂ et de SrₓF₂ de paramètres de maille très proches de celui de InP ont été réalisés par sublimation thermique sous vide afin de passiver ce semiconducteur. La détermination de la composition, de l'état cristallographique, de la structure énergétique et des propriétés de transport des fluorures ont fait appel à diverses techniques (RBS, absorption infrarouge, diffusion Raman, diffraction X en incidence rasante, absorption optique, études fréquentielles,. . . ). Le comportement électrique des structures MIS a été déduit de mesures C(V), G(V) et DLTS.