Etude par photoconductance des phénomènes de recombinaison le long de joints de grains dans le silicium polycristallin : application aux essais de passivation

Recombination phenomena along grain boundaries in polycristalline silicon by photoconductivity : passivation tests

• Auteur / Autrice : Gérard Mathian
• Direction : Santo Martinuzzi
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1986
• Etablissement(s) : Aix-Marseille 3

Résumé

Mise au point d'une methode de determination locale de la hauteur de barriere des joints de grain et de la vitesse de recombinaison interfaciale a partir de balayage de photoconductance. La methode permet de suivre les phenomenes de passivation des joints et des grains au voisinage des joints, lorsque les echantillons sont hydrogenes ou soumis a des diffusions d'impuretes metalliques. Les resultats suggerent que l'activite electrique des joints de grains depend plus de la segregation d'impuretes, en particulier l'oxygene, que de l'existence eventuelle de liaisons disponibles