Thèse soutenue

Analyse des mécanismes d'élaboration de couches minces par pulvérisation ionique

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Auteur / Autrice : Claude Pellet
Direction : Guy Gautherin
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Sciences de l'ingénieur
Date : Soutenance en 1985
Etablissement(s) : Paris 11
Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Institut d'électronique fondamentale (Orsay, Essonne19..-2016)
autre partenaire : Université de Paris-Sud. Faculté des sciences d'Orsay (Essonne)

Mots clés

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Mots clés contrôlés

Mots clés libres

Résumé

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Cette thèse présente l'étude des phénomènes physiques mis en jeu lors de la réalisation de couches minces par pulvérisation ionique. L'étude des lobes d'émission des différentes espèces a montré que le silicium était pulvérisé selon une loi en cos², que le dopant était transféré de la cible avec un rendement constant (de l'ordre de 50 % pour le bore) quelle que soit la direction d'émission. En ce qui concerne la principale impureté présente dans les dépôts selon cette technique, c'est-à-dire le gaz rare constituant le faisceau d'ions primaires, le travail réalisé a montré que son incorporation résultait en grande partie de la rétrodiffusion multiple des ions primaires sur la cible. L'effet, sur les qualités cristallines et les propriétés électriques des dépôts, de l’arrivée sur la couche en croissance de tels atomes, ainsi que des ions secondaires émis par la cible, est ensuite discuté. Enfin, il a été montré que la pollution des couches par des particules métalliques, souvent observée avec les techniques de pulvérisation, peut être maitrisée.