Auteur / Autrice : | Claude Pellet |
Direction : | Guy Gautherin |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Sciences de l'ingénieur |
Date : | Soutenance en 1985 |
Etablissement(s) : | Paris 11 |
Partenaire(s) de recherche : | Laboratoire : Institut d'électronique fondamentale (Orsay, Essonne ; 19..-2016) |
autre partenaire : Université de Paris-Sud. Faculté des sciences d'Orsay (Essonne) |
Mots clés
Mots clés contrôlés
Mots clés libres
Résumé
Cette thèse présente l'étude des phénomènes physiques mis en jeu lors de la réalisation de couches minces par pulvérisation ionique. L'étude des lobes d'émission des différentes espèces a montré que le silicium était pulvérisé selon une loi en cos², que le dopant était transféré de la cible avec un rendement constant (de l'ordre de 50 % pour le bore) quelle que soit la direction d'émission. En ce qui concerne la principale impureté présente dans les dépôts selon cette technique, c'est-à-dire le gaz rare constituant le faisceau d'ions primaires, le travail réalisé a montré que son incorporation résultait en grande partie de la rétrodiffusion multiple des ions primaires sur la cible. L'effet, sur les qualités cristallines et les propriétés électriques des dépôts, de l’arrivée sur la couche en croissance de tels atomes, ainsi que des ions secondaires émis par la cible, est ensuite discuté. Enfin, il a été montré que la pollution des couches par des particules métalliques, souvent observée avec les techniques de pulvérisation, peut être maitrisée.