Thèse soutenue

Conception, réalisation et caractérisation d'un transistor à hétérojonction GaAs/GaAlAs

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Auteur / Autrice : Muriel Riet
Direction :  Directeur de thèse inconnu
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Sciences appliquées. Électronique
Date : Soutenance en 1985
Etablissement(s) : Paris 11
Partenaire(s) de recherche : autre partenaire : Université de Paris-Sud. Faculté des sciences d'Orsay (Essonne)

Résumé

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Cette thèse présente un des premiers transistors à hétérojonction GaAs/GaAlAs réalisé par la méthode de croissance épitaxiale aux organométalliques. Les principales étapes de ce travail sont les suivantes : - structure de la couche épitaxiée, - dessin des masques, - réalisation technologique du transistor, - sa caractérisation et ses performances, - sa modélisation, - son schéma équivalent pour conception assistée par ordinateur. Cet exposé s'achève par un bilan de l'étude où sont envisagées les potentialités de ce nouveau transistor et la suite éventuelle à donner à ce travail.