Preparation and characterization of superconducting and dielectric thin films deposited by simple and reactive ion sputtering

Obtention et caractérisation de couches minces supraconductrices et diélectriques déposées par pulvérisation ionique simple ou réactive

• Auteur / Autrice : Daniel Bouchier
• Direction : Directeur de thèse inconnu
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences physiques
• Date : Soutenance en 1985
• Etablissement(s) : Paris 11
• Partenaire(s) de recherche : autre partenaire : Université de Paris-Sud. Faculté des sciences d'Orsay (Essonne)

Mots clés

Mots clés contrôlés

Microélectronique

Supraconducteurs

Couches minces

Mots clés libres

Faisceaux d'ions

Pulvérisation

Résumé

Le travail présenté dans cette thèse s’inscrit dans un programma ayant pour but de dégager les potentialités de la pulvérisation par faisceau d’ions comme méthode de dépôt sous vide appliquée à divers domaines, tels que la technologie des supraconducteurs et la microélectronique. Les effets respectifs de la nature et de l’énergie des espèces émises sous bombardement ionique sont mis en évidence par la caractérisation des dépôts obtenus, à travers les études suivantes : l’incorporation de gaz rare dans l’alliage Nb-Ti, l’équilibre des phases dans le système Nb-Ge, les mécanismes de nitruration durant le dépôt de nitrure de silicium, la nucléation de Si₃N₄ sur arséniure de gallium. Quant aux applications, on peut retenir la réalisation de soudures supraconductrices (brevet ANVAR) et le dépôt à température ambiante de nitrure de silicium stœchiométrique, exempt d’oxygène ou d’hydrogène. A noter enfin que ce nitrure constitue une barrière de diffusion sur GaAs, même en couche ultra mince (1,2 nm).