Obtention et caractérisation de couches minces supraconductrices et diélectriques déposées par pulvérisation ionique simple ou réactive

par Daniel Bouchier

Thèse de doctorat en Sciences physiques

Sous la direction de Directeur de thèse inconnu.

Soutenue en 1985

à Paris 11 , en partenariat avec Université de Paris-Sud. Faculté des sciences d'Orsay (Essonne) (autre partenaire) .


  • Résumé

    Le travail présenté dans cette thèse s’inscrit dans un programma ayant pour but de dégager les potentialités de la pulvérisation par faisceau d’ions comme méthode de dépôt sous vide appliquée à divers domaines, tels que la technologie des supraconducteurs et la microélectronique. Les effets respectifs de la nature et de l’énergie des espèces émises sous bombardement ionique sont mis en évidence par la caractérisation des dépôts obtenus, à travers les études suivantes : l’incorporation de gaz rare dans l’alliage Nb-Ti, l’équilibre des phases dans le système Nb-Ge, les mécanismes de nitruration durant le dépôt de nitrure de silicium, la nucléation de Si₃N₄ sur arséniure de gallium. Quant aux applications, on peut retenir la réalisation de soudures supraconductrices (brevet ANVAR) et le dépôt à température ambiante de nitrure de silicium stœchiométrique, exempt d’oxygène ou d’hydrogène. A noter enfin que ce nitrure constitue une barrière de diffusion sur GaAs, même en couche ultra mince (1,2 nm).

  • Titre traduit

    Preparation and characterization of superconducting and dielectric thin films deposited by simple and reactive ion sputtering


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Informations

  • Détails : 1 vol. (pagination multiple)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr., 8 p.

Où se trouve cette thèse\u00a0?

  • Bibliothèque : Université Paris-Saclay. DIBISO. BU Orsay.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 0g ORSAY(1985)122
  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TH2014-033950
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