Effet mémoire d'un composé incommensurable isolant : la thiourée deutériée : mesure par susceptibilité électrique et biréfringence linéaire

Memory effect of a insulating incommensurate compound : the deuterated thiourea : measure by electrical susceptibility and linear birefringence

• Auteur / Autrice : Michèle Chauvin
• Direction : J. P. Jamet
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1985
• Etablissement(s) : Paris 11
• Partenaire(s) de recherche : Autre partenaire : Université de Paris-Sud. Faculté des sciences d'Orsay (Essonne)

Mots clés

Mots clés contrôlés

Landau, Théorie de (transitions de phases)

Biréfringence

Susceptibilité diélectrique

Thiourée

Mots clés libres

Incommensurabilité

Transitions structurales

Onde de densité de défauts

Mémoire (Effet)

Résumé

Ce travail est consacré à l'étude de ''l'effet mémoire'' se dans la phase modulée incommensurable d'un isolant : Cet effet est la signature d'un réseau de défauts mobiles capables de s'ordonner selon la périodicité spatiale de la modulation (par couplage défauts-modulation). En retour un tel réseau de défauts, une fois, ordonné, peut provoquer un blocage de la périodicité de la modulation. Cet effet de mémoire parait être une propriété générale de toutes les structures modulées. La susceptibilité électrique et la biréfringence linéaire optique sont des grandeurs couplées au paramètre d'ordre de la modulation, et permettent donc d'étudier les effets mémoire dans la thiourée. Nous nous sommes particulièrement attachés aux processus d'inscription et de relaxation de l'effet mémoire.

This is a study of the ''memory effect'' which is found in the modulated, incommensurate phase of the insulator thiourea. This effect is the sign of a set of mobile defects, which can become ordered according to the spatial period of the modulation (via defect-modulation coupling). In return, the set of defects, once ordered, can lock in the modulation period. This memory effect appears to be a general property of all modulated structures. The dielectric susceptibility and linear, optic, birefringency are coupled to the modulation order parameter, and enable one to study the memory effect in thiourea. We paid particular attention to the marking and relaxation processes of the memory effect.