Étude théorique et experimentale du transistor à effet de champ à hétérojonction AlGaAs/GaAs
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Auteur / Autrice : | Christophe Versnaeyen |
Direction : | André Vanoverschelde |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Électronique |
Date : | Soutenance en 1985 |
Etablissement(s) : | Lille 1 |
Mots clés
FR
Mots clés contrôlés
Résumé
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Modélisation de la structure grille-hétérojonction. Caractérisation physique du transistor TEGFET. Caractérisation dynamique du composant TEGFET. Détermination du schéma équivalent.