Caractérisation de l'interface isolant / GaₓIn₁₋ₓAs : application à la réalisation de transistors à effet de champ à grille isolée

Charaterization of the insulator gaₓin₁₋ₓas interface : application insulated gate field effect transistor realization

• Auteur / Autrice : Monique Taillepied
• Direction : Jean-Bernard Theeten
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Electronique
• Date : Soutenance en 1985
• Etablissement(s) : Lyon, INSA
• Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Laboratoires d'électronique et de physique appliquée (France)

Mots clés

Mots clés contrôlés

Semiconducteurs à l'arséniure de gallium

MIS (électronique)

Résumé

Le développement intense des composants optoélectroniques à base de GainAs a suscité l'intérêt de fabriquer des transistors permettant l'intégration monolithique PIN-FET. Dans cette optique, nous avons caractérisé l'interface isolant/GainAs en vue de définir une technologie de transistors à effet de champ à grille isolée. Nous avons donc mis en place un ensemble de moyens de caractérisations électriques de structures métal/isolant/GainAs (C(V), G(V) et DLTS). Les résultats obtenus par cette étude nous ont conduit à choisir le SI3 N4 PECVD pour la réalisation de MISFETS. Une technologie de MISFETS fonctionnant en mode désertion a donc ensuite été mise au point et caractérisée, Ce travail présente également la première étude des mécanismes de dérive des MISFETS sur GainAs. Des analyses physico-chimiques (photoluminescence, ellipsométrie, analyses Auger, spectroscopie de photoémission) ont été effectuées afin d'établir une corrélation entre les traitements chimiques, la morphologie de la surface, la quantité et la composition de l'oxyde natif à la surface avec les propriétés électriques.