Élaboration par OM-CVD du semi-conducteur composite désordonné GaAs : (SiC, H) : corrélations entre sa structure hétérogène et ses propriétés électroniques

Elaboration by OMCVD of the disordered composite semiconductor GaAs : (SiC, H) : correlations between its heterogeneous structure and electronic properties

• Auteur / Autrice : Francis Maury
• Direction : G. Constant
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Science des matériaux
• Date : Soutenance en 1985
• Etablissement(s) : Toulouse, INPT

Mots clés

Mots clés contrôlés

Composés semiconducteurs

Arséniure de gallium

Composés organométalliques

Dépôt chimique en phase vapeur

Résumé

Le semiconducteur composite désordonné GaAs:(SiC,H) a été obtenu par OM-CVD à partir des deux précurseurs ClEt2Ga. AsEt3 et Si(CH2-C=CH)4. Les études physicochimiques (EDAX, SIMS et IR) et structurales (RX, Raman et MET) ont montré que ce matériau était constitué de cristallites GaAs dispersés dans une phase désordonnée SixC1-x(H). Cette structure hétérogène conduit, lorsqu'on mesure une propriété électronique à une réponse préférentielle de l'une des deux phases. Ainsi, elles contribuent toutes deux à l'émission photoluminescente du matériau mais son absorption optique serait essentiellement due aux cristallites GaAs et la conductivité électrique serait contrôlée tour à tour par chacune des phases suivant la teneur en SixC1-x. La discussion sur les mécanismes réactionnels montre qu'il est possible, par un choix judicieux des précurseurs organométalliques, d'orienter la croissance vers une structure polyphasée préétablie.