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des thèses françaises
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Influence de divers additifs sur la germination-croissance de la phase Cu3Si formée par réaction Si-CuC
FR
| Auteur / Autrice : | Noëlle Gourgouillon |
| Direction : | Pierre Barret |
| Type : | Thèse de doctorat |
| Discipline(s) : | Sciences physiques |
| Date : | Soutenance en 1985 |
| Etablissement(s) : | Dijon |
Mots clés
FR
Mots clés contrôlés
Résumé
FR
Attaque du silicium (poudre ou plaque) par les vapeurs de chlorure cuivreux. Etude cinétique du dégagement de SiCl4. Influence de la pureté du chlorure cuivreux et de l'adjonction de divers chlorures. Etude de la phase Cu::(3)Si par transmission. Attaque de plaques monocristallines de silicium par le chlorure cuivreux fondu. Morphologie des germes de phase Cu::(3)Si. Etude cinétique de la période initiale de la réaction. Influence de la pureté du chlorure cuivreux et de l'adjonction de divers chlorures alcalins, alcalino-terreux, métalliques sur les caractéristiques cinétiques et morphologiques