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des thèses françaises
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Oxydation du silicium monocristallin sous haute pression d'oxygène sec
| Auteur / Autrice : | Christian Camelin |
| Direction : | Directeur de thèse inconnu |
| Type : | Thèse de doctorat |
| Discipline(s) : | Sciences |
| Date : | Soutenance en 1985 |
| Etablissement(s) : | Bordeaux 1 |
| Partenaire(s) de recherche : | Autre partenaire : Université Bordeaux-I. Faculté des sciences (1971-2013) |
| Jury : | Président / Présidente : Paul Hagenmuller |
| Examinateurs / Examinatrices : Paul Hagenmuller, Jean-Louis Buevoz, Gérard Demazeau, Jean Étourneau, Jean-Claude Lassègues, Alain Straboni |
Mots clés
Résumé
L'oxydation du silicium monocristallin est une étape importante de la technologie M. O. S. (metal-oxide-semiconductor). Les températures (!000C) et les durées d'oxydation relativement élevées créent des défauts structuraux notamment préjudiciables a toute miniaturisation. Afin de palier à cet inconvénient, l'utilisation de pressions d'oxygène élevées, du fait de l'accroissement de la réactivité, s'avérait une voie intéressante pour abaisser la température. Des études d'oxydation ont été menées en oxygène sec dans un domaine inexploré (14P000 BAR) (600T80C). Sur la base du modelé de GROVE et grove les constantes de vitesse ont été définies ainsi que leur dépendance vis-à-vis du paramètre pression. Les couches d'oxyde élaborées dans de telles conditions ont été caractérisées tant au niveau des propriétés physico-chimiques qu'électriques. Ces travaux tout en apportant des résultats fondamentaux originaux constituent une ouverture pour la micro-électronique dans la mesure ou l'abaissement des températures d'oxydation sous pression peut conduire à des applications industrielles.