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des thèses françaises
Emmanuel Collard
IdRefMots clés
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Nitrure de gallium
Épitaxie
Diodes à barrière de Schottky
Silicium -- Substrats
Contact ohmique
Résistance des matériaux
Silicium
SiC
3C-SiC
Carbure de silicium
Semiconducteurs -- Dopage
Électronique de puissance
Protection périphérique
Gravure
Transistors à effet de champ à dopage modulé
Résistance spécifique de contact
Briques technologiques
3c-sic
Nitrure de Gallium
Redresseur Schottky