Abderraouf Boucherif
Mots clés
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Épitaxie
Silicium poreux
Graphène
Germanium
SiC
CVD
MBE
Épitaxie par faisceaux moléculaires
Carbure de silicium
Dépôt chimique en phase vapeur
Couches minces semiconductrices
Contraintes (mécanique)
Déformations (mécanique)
Pseudo-Substrat InGaN relaxé
Electrochimie du GaN et d'InGaN
Contraintes du matériau InGaN
Elasticité du GaN et de l'InGaN
Micro-LED à grandes longueurs d'onde
Simulation par éléments finis
Diodes électroluminescentes