Marcin Zielinski
Mots clés
FR |
EN
Épitaxie
SiC
Silicium -- Substrats
Micro-Raman
Photoluminescence
Sims
Dopage
Carbure de silicium
Spectroscopie Raman
Épitaxie CVD
4H-SiC
Incorporation N et Al
Analyse SIMS et C-V
Polarité du matériau
Compétition de site
Couverture de surface
Paramètre de maille
Cartographie de l’espace réciproque (RSM)
Mesure LPTL
Porteurs libres