Christian Brylinski
Mots clés
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Épitaxie
Nitrure de gallium
Électronique de puissance
GaN
Diodes à barrière de Schottky
MOVPE
Contact ohmique
Silicium -- Substrats
Contacts métal-semiconducteur
SiC
Carbure de silicium
Cathodes
Semiconducteurs -- Dopage
Dépôt en phase vapeur par organométalliques
Diodes électroluminescentes
Diodes
Couches minces
Diamant
Hétéroépitaxie
Mouillabilité