Sylvain L. Delage
Mots clés
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Nitrure de gallium
Transistors à haute mobilité d'électrons -- Effets de la température
Thermométrie
Semiconducteurs à large bande interdite
Spectroscopie Raman
Microscopie à sonde à balayage
Conduction électrique
Transfert de chaleur
Éléments finis, Méthode des
Contacts métal-semiconducteur
Diamant -- Couches minces
Transistors bipolaires
Composés semiconducteurs
Nitrure de gallium (GaN)
Transistor à haute mobilité électronique (HEMT)
Circuits CMOS
Épitaxie sous jets moléculaires (MBE)
Co-intégration
Transistors
MOS complémentaires