Audrey Philippon-Martin
Mots clés
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GaN
Transistors à effet de champ à dopage modulé
Nitrure de gallium
Modélisation
Amplificateurs de puissance
HEMT
Amplificateur de puissance
Effets de pièges
Caractérisation
AlGaN
InAlN
Bande Ka
Dispersion basse fréquence
Conception MMIC
Amplificateurs haute fréquence
Graphène
Caractérisation IV impulsionnelle
HF caractérisation
Effets de piégeage
5G