Didier Floriot
IdRefMots clés
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Nitrure de gallium
Transistors à effet de champ à dopage modulé
GaN
Effets de pièges
Amplificateurs de puissance
HEMT
Transistors à électrons à haute mobilité (HEMT)
Bande W
Bande Q
Ondes millimétriques
Nitrure d'aluminium
Dissipation d'énergie
HEMT GaN
Pièges
Mesure de paramètres-[S] BF
Mesures de bruit BF
Simulations physiques sur TCAD
Modélisation analytique
Modélisation thermique
Composants électroniques