Olivier Jardel
Mots clés
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Amplificateurs de puissance
Transistors à effet de champ à dopage modulé
Nitrure de gallium
HEMT GaN
GaN HEMT
Effets de pièges
Électronique de puissance
GaN
HEMT
Modélisation
Amplificateurs haute fréquence
Polarisation dynamique
Amplificateur de puissance RF
Innovation
Amplificateur de puissance
Bande X
Drain-lag
Gate-lag
Caractérisation I(V) + paramètres [S] en impulsions
Transistors bipolaires