Olivier Jardel
IdRefMots clés
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Amplificateurs de puissance
Transistors à effet de champ à dopage modulé
Nitrure de gallium
GaN HEMT
Effets de pièges
GaN
HEMT
Modélisation
Amplificateurs haute fréquence
Polarisation dynamique
Amplificateur de puissance RF
Amplificateur de puissance
Bande X
Drain-lag
Gate-lag
Caractérisation I(V) + paramètres [S] en impulsions
Transistors bipolaires
Transistors de puissance
Électronique de puissance
AlGaN