Nicolas Defrance
Mots clés
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Nitrure de gallium
Silicium -- Substrats
Ondes millimétriques
Transistors à effet de champ
Carbure de silicium
Transistors de puissance
Micro-ondes
Modélisation électrothermique
Circuits intégrés monolithiques hyperfréquence
Convertisseurs continu-continu
Transistors à effet de champ à dopage modulé
Transistors à haute mobilité d'électrons
Schéma équivalent
Report de substrat
Mesures électriques
Circuits intégrés -- Passivation
Circuits intégrés pour microondes
HEMT AlGaN/GaN
Fiabilité
Vieillissement accéléré DC