Frédéric Morancho
Mots clés
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Nitrure de gallium
Électronique de puissance
Transistors de puissance
Silicium -- Substrats
Hemt
Transistors à effet de champ à dopage modulé
GaN
Épitaxie
Electronique de puissance
Diodes à barrière de Schottky
Transistors MOSFET
Semiconducteurs à large bande interdite
Composant de puissance
MOS (électronique)
Modélisation
MOS complémentaires
Convertisseurs électriques
Tension de claquage
HEMT
Vieillissement