Frédéric Morancho
IdRefMots clés
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EN
Nitrure de gallium
Électronique de puissance
Transistors de puissance
Transistors à effet de champ à dopage modulé
Electronique de puissance
Hemt
GaN
Diodes à barrière de Schottky
MOS (électronique)
Modélisation
MOS complémentaires
Tension de claquage
HEMT
Épitaxie
Vieillissement
Composant de puissance
Diode Schottky
Contact ohmique
Silicium -- Substrats
Nitrure de Gallium