Jean-Pierre Teyssier
Mots clés
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Amplificateurs de puissance
Nitrure de gallium
Transistors de puissance
Transistors
Méthode 3ω
Impédance thermique
Gate-lag
Drain-lag
Transistors à effet de champ
Transistors bipolaires
HEMT
AlGaN/GaN
InAlN/GaN
Amplificateurs haute fréquence
Ldmos
Atténuateur variable
UMTS (norme)
Relaxation isotherme
Modélisation des pièges
Transistors à effet de champ à dopage modulé