Jean-Christophe Nallatamby
IdRefMots clés
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Transistors à effet de champ à dopage modulé
Nitrure de gallium
Pièges
Amplificateurs de puissance
Bruit basse fréquence
Transistors bipolaires à hétérojonctions
GaN HEMT
Bruit de phase
Semiconducteurs
HEMT
Amplificateur de puissance
Oscillateurs
Circuits intégrés monolithiques hyperfréquence
Modèle non linéaire
Impédance basse fréquence
Composants semi-conducteurs
Activation d'énergie
Synopsys Sentaurus
Simulation physique
TBH