Analyse dispersive en énergie  Arséniure de gallium  Arséniure de gallium  Boîtes quantiques  Caméras  Caméras intelligentes  Cellules solaires III-V sur substrats bas coût  Conversion photovoltaïque  Cristallisation du germanium amorphe  Cristallisation induite par un métal  Cristaux  Croissance VLS  Croissance auto-catalysée  Croissance auto-organisée  Croissance catalytique VLS  Croissance cristalline  Croissance par épitaxie sélective  Croissance sélective  Diodes électroluminescentes  Dépôt chimique en phase vapeur  Dépôt en phase vapeur par organométalliques  Epitaxie  Epitaxie en Phase Vapeur par la méthode aux Hydrures  Epitaxie par jets moléculaire  Epitaxie par jets moléculaires  Epitaxie sélective  GaAs  GaN  Gallium -- Composés  Gallium  HVPE  Hétérostructures  InGaN  Nanofils  Semiconducteurs  Épitaxie  

Evelyne Gil a rédigé la thèse suivante :

Realisation par la methode aux hydrures et etude de puits quantiques contraints ga#xin#1##xas/inp

par Evelyne Gil sous la direction de Robert Cadoret - Clermont-Ferrand 2

Physique

Soutenue en 1992

Evelyne Gil a dirigé les 6 thèses suivantes :

Growth by HVPE and characterizations of III-As nanowires

par Gabin Grégoire sous la direction de Yamina André et de Evelyne Gil . - Université Clermont Auvergne (2021-...)

Physique

Soutenue le 15-10-2021

Synthesis of GaAs nanowires and nanostructures by HVPE on Si substrate. Application to a microbial fuel cell based on GaAs nanowires

par Zhenning Dong sous la direction de Evelyne Gil - Université Clermont Auvergne‎ (2017-2020)

Matériaux et Composants pour l'Electronique

Soutenue le 15-03-2017

Micro- et nanofils de Ga (In)N et GaAs par épitaxie en phase vapeur par la méthode aux hydrures (HVPE)

par Geoffrey Avit sous la direction de Evelyne Gil - Clermont-Ferrand 2

Matériaux et Composants pour l'Electronique

Soutenue le 16-12-2014

Croissance sélective HVPE et VLS-HVPE d'objets et de structures GaAs à morphologie contrôlée à l'échelle sub-micrométrique et nanométrique

par Mohamed Ramdani sous la direction de Evelyne Gil - Clermont-Ferrand 2

Matériaux et composants pour l'électronique

Soutenue en 2010

GaAs à orientation périodique pour la réalisation de sources accordables dans l'infrarouge

par David Faye sous la direction de Evelyne Gil - Clermont-Ferrand 2

Sciences des matériaux

Soutenue en 2007

Croissance sélective d'InP dopé Fer par MOVPE assistée par Tertio-Butyle de chlore (TBCl)

par Stéphane Gouraud sous la direction de Evelyne Gil - Clermont-Ferrand 2

Electronique et Systèmes-Matériaux et Composants pour l'électronique

Soutenue en 2005

Evelyne Gil a été président de jury des 3 thèses suivantes :

Distributed tracking in self-organized silly camera network

par Lobna Ben Khelifa sous la direction de François Berry - Université Clermont Auvergne‎ (2017-2020)

Electronique et Architecture de Systèmes

Soutenue le 25-09-2020

Epitaxie directe de semiconducteurs III-V sur substrat de silicium pour dispositifs photoniques

par Marie-Léonor Touraton sous la direction de Thierry Baron , Didier Dutartre et de Christophe Jany . - Université Grenoble Alpes

Nanoélectronique et nanotechnologie

Soutenue le 22-06-2020

Optimisation d’hétéro-structures à multipuits quantiques InGaN sur sous-couche InGaN pour diodes electroluminescentes émettant dans le domaine spectral bleu-vert

par Saiful Alam sous la direction de Abdallah Ougazzaden et de Ivan-Christophe Robin . - Université de Lorraine

Physique

Soutenue le 16-05-2018

Evelyne Gil a été membre de jury des 3 thèses suivantes :

Elaboration of GaAs solar cells based on textured substrates on glass

par Daniel Pelati sous la direction de Frank Glas , Fabrice Oehler et de Phannara Aing . - Sorbonne université

Physique

Soutenue le 29-01-2019

Magnetic quantum dots in II-VI semiconductor nanowires

par Pamela Rueda-Fonseca sous la direction de Serge Tatarenko et de Joël Cibert . - Université Grenoble Alpes (ComUE)

Nanophysique

Soutenue le 16-02-2015

Le procédé HVPE pour la croissance de nanofils semiconducteurs III-V

par Kaddour Lekhal sous la direction de Agnès Trassoudaine - Clermont-Ferrand 2

Physique des Matériaux

Soutenue le 18-02-2013