Eric Bergeault
Mots clés
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Amplificateurs de puissance
Transistors à effet de champ à dopage modulé
Amplificateur de puissance
Nitrure de gallium
HEMT GaN
MOS complémentaires
Radar
Linéarité
GaN
Cmos
CMOS
Transistors de puissance
Étalonnage
Essais
Méthodes de simulation
DPD
Modélisation
LTE (norme)
Caractérisation temporelle d’enveloppe
Stabilité pulse à pulse