AFORS-HET  Alliages  Alliages silicium-carbone  Amorphe  Amplificateurs  Analyse cryogénique  Antennes-réseaux  Approche "Hydrodynamique"  Approche "dérive-diffusion"  Arséniure de Gallium  Arséniure de gallium  Bandes de fréquences submillimétriques  Basses températures  BiCMOS  Bipolaires avec des dispositifs complémentaires métal/oxyde/semi-conducteur  Bruit de génération-recombinaison  Calibrage TCAO  Canaux de relaxation  Capteur térahertz  Capteurs optiques  Caractérisations  Carbone  Cellule photovoltaïque  Chambre réverbérantes  Circuit RF et millimétriques  Circuits logiques transistor-transistor  Communication  Communication térahertz  Conception assistée par ordinateur  Contacts métal-semiconducteur  Conversion photovoltaïque  Couche tampon  Couches minces  Couplage des équations de Maxwell et de Boltzmann  Cristallinité  Cryoélectronique  Dft  Dhbt  Diode IMPATT  Diode Schottky  Diodes Schottky  Diodes planaires de barrière Schottky  Diodes à barrière de Schottky  Diodes à semiconducteur  Doubleur de fréquence  Dynamique des phonons  Défaut  Dégradation par porteur chaud  Dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma  Détecteur térahertz  Détecteurs  Détecteurs de microondes  Détecteurs de photons  Détecteurs de rayonnement infrarouge  Détection directe  Détérioration  Effet Auger  Effet tunnel  Electroluminescence  Electromagnetisme  Epitaxie CBE  Equation de transport de Boltzmann  Equation de transport de Boltzmann  Extraction des paramètres scalables  FDTD  Fdtd  Fiabilité  Fiabilité à long-terme  GaN  Gaz bidimensionnel d’électrons  Gaz d'électrons  Germanium  Germanium- Etain  Guide coplanaire  Guide d'onde  Guide d'onde au substrat intégré  Guide d'onde au substrat intégré à d'onde lente  Guides d'ondes  HBT SiGe:C  HEMT à grille-réseau  Haute-tension  Haute-vitesse  High current model  Hyperfréquences  Hétérojonction  Hétérojonctions  III-V  IV  Incorporation de carbone  Injection électrique  Interactions anharmoniques  Interactions phonon-phonon  Interface  Interfaces  Interfaces a-Si : H/c-Si  International technology roadmap for semiconductors  Intersousbandes  Ionisation par choc  Lasers à semiconducteurs  Maillage à pas variable  Matériaux 2D  Matériel infrarouge  Maxwell, Équations de  Mesures de Bruit  Mesures du bruit haute fréquence  Micro-nanoélectronique  Microondes  Model Analytique  Modèle analytique  Modèle compact  Modèles mathématiques  Modèles physiques  Modélisation  Modélisation TCAD  Modélisation compact  Modélisation compacte  Modélisation physique  Modélisation technologique TCAD  Modélisation électrique du bruit haute fréquence  Modélisations  Monte Carlo  Monte Carlo  Monte-Carlo, Méthode de  Moyenne-tension  Mélange hétérodyne  Mélangeur de fréquence  Mélangeur sous-harmonique  Méthode de Monte Carlo  Méthode des Pseudo-potentiels Empiriques  Nanotubes  Nanotubes de carbonne  Nanoélectronique  Nitrure de gallium  Nitrures  Ondes décimillimétriques  Ondes millimétriques  Optique  Oxyde  PECVD  Phonon LO de centre de zone  Phonons  Phonons chauds  Photo-commutateur  Photonique  Photonique sur silicium  Photopiles  Photovoltaïque  Physique du semiconducteur  Pixel Rectenna  Plasmons-Polaritons  Polaritons  Porteurs chauds  Prédiction de performance  Puits quantiques  Qcd  Qcl  Radiofréquences  Rayonnement infrarouge  Relaxation, Phénomènes de  Retournement temporel  Retournement temporel  Récepteur hétérodyne  Réseau de substrat  Réseaux d'antennes plates  Résistances externes  Résonance plasmonique  Semi-conducteur Poly-typique  Semi-conducteurs  Semiconducteur  Semiconducteurs -- Propriétés optiques  Semiconducteurs -- Recombinaison  Semiconducteurs  Semiconducteurs amorphes  Silicium -- Couches minces  Silicium  Silicium amorphe hydrogéné  Silicium monocristallin  Silicium multicristallin  Silicium-germanium  Simulation  Simulation par ordinateur  Simulation quantique  Simulations numériques  Simulations unidimensionnelle  Spectromètres  Ssd  Structure de bande  Structure électronique  Systèmes  Systèmes de communication sans fil  Systèmes de télécommunications à large bande  TBH SiGe  TFET  THz  TMD  Temps de transit  Transistor bipolaire à hétérojonction  Transistors bipolaires  Transistors bipolaires à hétérojonctions  Transport, Théorie du  Térahertz  

Frédéric Aniel a rédigé la thèse suivante :


Frédéric Aniel dirige actuellement la thèse suivante :

Electronique et Optoélectronique, Nano- et Microtechnologies
En préparation depuis le 30-09-2020
Thèse en préparation


Frédéric Aniel a dirigé les 16 thèses suivantes :

Electronique et Optoélectronique, Nano- et Microtechnologies
Soutenue le 23-10-2018
Thèse soutenue
Electronique et optoélectronique, nano- et microtechnologies
Soutenue le 14-02-2017
Thèse soutenue


Frédéric Aniel a été président de jury des 6 thèses suivantes :


Frédéric Aniel a été rapporteur des 8 thèses suivantes :


Frédéric Aniel a été membre de jury des 3 thèses suivantes :

Électronique
Soutenue le 05-03-2021
Thèse soutenue