Philippe Bouysse
Mots clés
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Amplificateurs de puissance
Transistors à effet de champ à dopage modulé
Nitrure de gallium
Amplificateur de puissance RF
GaN HEMT
Modulateur de polarisation
Innovation
Doherty
Haut rendement
Systèmes de télécommunications à large bande
Polarisation dynamique
HEMT GaN
Amplificateurs microondes
5G
MmW
Sub-6GHz
Amplificateur de puissance
GaN
Envelope Tracking (ET)
Average Power Tracking (APT)