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des thèses françaises
Laurent Auvray
IdRefMots clés
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GaN
Épitaxie
Carbure de bore
4H-SiC
Hétéroepitaxie
CVD
Système B-C-Si
Diagramme de dépôt
Couple de diffusion
Hétéroépitaxie
Matériaux
Ingénierie
Dépôt en phase vapeur par organométalliques
Semiconducteurs à l'arséniure de gallium
Triméthylarsine
Microscopie à force atomique
Diméthylhydrazine
Hetero-épitaxie
Mécanisme VLS
Gallium