Didier Chaussende
Mots clés
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Carbure de silicium
Dépôt chimique en phase vapeur
Dopage
SiC
Épitaxie
Semiconducteurs -- Dopage
Croissance cristalline
4H-SiC
Cvd
Semiconducteurs à large bande interdite
Composites à matrice céramique
Cristallogenèse
Epitaxie
Dislocations
Semiconducteurs
Hétéroépitaxie
Diamant
Cristallogenese
Électronique de puissance
Croissance diamant