Didier Chaussende
Mots clés
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EN
Carbure de silicium
Dépôt chimique en phase vapeur
Dopage
SiC
Épitaxie
Croissance cristalline
Semiconducteurs -- Dopage
4H-SiC
Semiconducteurs à large bande interdite
Composites à matrice céramique
Cristallogenèse
Semiconducteurs
Cristallogenese
Électronique de puissance
Nucléation
Microscopie électronique en transmission
Simulation par ordinateur
Monte-Carlo, Méthode de
SiC-3C
Hétéroépitaxie