Didier Chaussende
Mots clés
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Carbure de silicium
Dépôt chimique en phase vapeur
SiC
Dopage
Épitaxie
Croissance cristalline
4H-SiC
Semiconducteurs -- Dopage
Semiconducteurs à large bande interdite
Composites à matrice céramique
Cristallogenèse
Epitaxie
Semiconducteurs
Hétéroépitaxie
Cristallogenese
Électronique de puissance
Cvd
Carbure de bore
Nucléation
Microscopie électronique en transmission