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des thèses françaises
Karine Isoird
IdRefMots clés
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Épitaxie
Simulation TCAD
MOS (électronique)
Robustesse
Diamant
HEMT
AlGaN/GaN III-V
Normally-off
Gravure
Procédé technologique
Photolithographie
Epitaxie localisée
P-GaN
Transistors à effet de champ à dopage modulé
Nitrure de gallium
Transistor MOS de puissance
Tranchées profondes
Superjonction
Terminaisons de jonctions
Semiconducteurs de puissance