Le moteur de recherche
des thèses françaises
Karine Isoird
IdRefMots clés
FR |
EN
MOS (électronique)
Épitaxie
Diamant
Simulation TCAD
Robustesse
Électronique de puissance
HEMT
AlGaN/GaN III-V
Normally-off
Gravure
Procédé technologique
Photolithographie
Epitaxie localisée
P-GaN
Transistors à effet de champ à dopage modulé
Nitrure de gallium
Transistor MOS de puissance
Tranchées profondes
Superjonction
Terminaisons de jonctions