André Touboul
IdRefMots clés
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Transistors
Transistors bipolaires
GaN
HEMT
Simulation physique
Fiabilité
Current collapse
Nitrure de gallium
Circuits intégrés
Bruit électronique
Circuits intégrés bipolaires
Transistors à effet de champ
Ionisation
Durée de vie (ingénierie)
Détection de défaut (ingénierie)
Circuits intégrés pour microondes
Décharges électriques dans les gaz
Lasers
Circuits intégrés à très grande échelle
Rayonnements ionisants