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des thèses françaises
Benoît Lambert
IdRefMots clés
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Nitrure de gallium
Fiabilité
Transistors à effet de champ à dopage modulé
GaN
HEMT
UMTS (norme)
Carbure de silicium
Mécanismes de dégradation
Semiconducteurs
HEMT AlGaN/GaN
Analyse de défaillance
Microscopie à émission de lumière dans le domaine visible-proche infrarouge et dans le domaine de l'UV
Transistors
Transistors à effet de champ
Ionisation
Durée de vie (ingénierie)
Effets parasites
Transitoire de courant de drain
Effects parasites
Caractérisation électrique.