Modèle compact CMOS 180 nm incluant les lois de vieillissement en environnement sévère

par Thi-phuong-yen Tran

Projet de thèse en Electronique

Sous la direction de Cristell Maneux, Yann Deval et de Claire Tassim.

Thèses en préparation à Bordeaux , dans le cadre de Sciences Physiques et de l'Ingénieur , en partenariat avec Laboratoire de l'Intégration du Matériau au Système (laboratoire) et de Modélisation compacte et caractérisation des dispositifs électroniques (MODEL) (equipe de recherche) depuis le 28-05-2019 .


  • Résumé

    Le sujet en question concerne la réalisation du modèle compact CMOS 180 nm incluant les lois de vieillissement en environnement sévère. Les étapes des travaux de thèse concernent : 1. La caractérisation électrique de la technologie CMOS 180 nm: Etude de l'aire de sécurité de fonctionnement en environnement sévère. 2. L'évaluation de la validité du modèle BSIM4 au-delà de 175°C. 3. L'évaluation des mécanismes de défaillance associés au fonctionnement du transistor dans les limites de l'aire de sécurité de fonctionnement y compris pour des températures ambiantes supérieures à 175°C. 4. La conception d'un véhicule de test au niveau circuit permettant une phase de vérification du comportement du modèle compact incluant les lois de vieillissement.

  • Titre traduit

    CMOS 180 nm Compact Modeling Including Ageing Laws for Harsh Environment


  • Résumé

    The thesis project concerns the realization of the 180 nm compact CMOS model including the laws of aging in the hard environment. This project consists in defining the transistor aging laws and to integrate them into BSIM4 taking into account the following aspects: 1. The extensive initial characterization (before aging test): DC, S parameters and noise measurement are at low frequency for temperature exceeding 175degC. This will help to evaluate the compact model accuracy before aging tests. 2. Aging condition's description (biases and temperatures) and accelerated aging tests realization using Schlumberger test facility. 3. Aging mechanisms characterization: based on the accelerated aging tests results, a bibliographic study will help to define the equations that have to be integrated into the model code for the design kit. Parameters sensitivity will be considered depending on transistor operation regimes. 4. Test chip design and fabrication to verify the model after accelerated aging using Schlumberger test facility.