Intégration 3D de dispositifs SETs dans le Back-End-Of-Line en technologies CMOS 28 nm pour le développement de capteurs ultra basse consommation
Auteur / Autrice : | Yosri Ayadi |
Direction : | Dominique Drouin, Abdelkader Souifi |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Electronique, électrotechnique, automatique |
Date : | Soutenance le 16/12/2016 |
Etablissement(s) : | Lyon en cotutelle avec Université de Sherbrooke (Québec, Canada) |
Ecole(s) doctorale(s) : | École doctorale Électronique, électrotechnique, automatique (Lyon) |
Partenaire(s) de recherche : | établissement opérateur d'inscription : Institut national des sciences appliquées (Lyon ; 1957-....) |
Laboratoire : INL - Institut des Nanotechnologies de Lyon, UMR5270 (Rhône) - Institut des Nanotechnologies de Lyon - Site de l'INSA / INL | |
Jury : | Président / Présidente : Andreas Ruediger |
Examinateurs / Examinatrices : Dominique Drouin, Abdelkader Souifi, Andreas Ruediger, Adnane Abdelghani, Irina Ionica | |
Rapporteurs / Rapporteuses : Andreas Ruediger, Adnane Abdelghani |
Mots clés
Résumé
Les systèmes mobiles intelligents sont déjà dotés de plusieurs composants de type capteur comme les accéléromètres, les thermomètres et les détecteurs infrarouge. Cependant, jusqu’à aujourd’hui l’intégration de capteurs chimiques dans des systèmes compacts sur puce reste limitée pour des raisons de consommation d’énergie et dissipation de chaleur principalement. Le travail présenté dans cette thèse fut donc concentrée sur la démonstration de l’intégration 3D monolithique de SETs sur un substrat de technologie CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) pour la réalisation de la fonction capteurs de gaz très sensible et ultra basse consommation d’énergie. L’approche proposée consiste à l’intégration de SETs métalliques à double grilles dans l'unité de fabrication finale BEOL (Back-End-Of-Line) d'une technologie CMOS à l’aide du procédé nanodamascene. L'objectif principal de cette thèse de doctorat peut être divisé en 4 parties : (1) la modélisation et simulation de la réponse d’capteur de gaz à base de SET à double grilles ou d’un MOSFET FD-SOI, et l’estimation de la sensitivité ainsi que la puissance consommée; (2) la caractérisation de la sensitivité du Pt comme couche sensible pour la détection du H2 par la technique de mesure de charge de surface, et le développement du procédé de texturation de surface de la grille fonctionnalisée avec les réseaux de nanotubes de carbone; (3) le développement et l’optimisation du procédé de fabrication des SETs à double grilles dans l’entité BEOL d’un substrat CMOS; et (4) la fonctionnalisation d’un MOSFET FD-SOI avec du Pt pour réalise la fonction de capteur de H2.