Modélisation par éléments finis du contact ohmique de microcommutateurs MEMS
Auteur / Autrice : | Hong Liu |
Direction : | Stéphane Colin, Dimitri Leray |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Génie Mécanique, Mécanique des Matériaux |
Date : | Soutenance le 22/05/2013 |
Etablissement(s) : | Toulouse, INSA |
Ecole(s) doctorale(s) : | École doctorale Mécanique, énergétique, génie civil et procédés (Toulouse) |
Partenaire(s) de recherche : | Laboratoire : Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes (Toulouse ; 1968-....) - Institut Clément Ader (Toulouse ; 2009-....) |
Jury : | Président / Présidente : Laurent Champaney |
Examinateurs / Examinatrices : Stéphane Colin, Dimitri Leray, Patrick Pons | |
Rapporteurs / Rapporteuses : Karim Inal, Pierre-emmanuel Mazeran |
Mots clés
Mots clés contrôlés
Mots clés libres
Résumé
Les microcommutateurs MEMS ohmiques comportent un contact électrique sous très faible force, très sensible à des paramètres difficiles à maîtriser. Ce contact a été l'objet d'une méthode de modélisation développée précédemment au LAAS-CNRS, dont le principe consiste à effectuer une simulation par éléments finis du contact mécanique avec les données AFM puis évaluer analytiquement la résistance électrique. Cette thèse a pour objectif d'évaluer les possibilités d'extension de cette méthode à des simulations multiphysiques.La thèse comporte une partie dédiée à la validation de la simulation mécanique par éléments finis par rapport à des résultats expérimentaux obtenus précédemment.Des simulations multiphysiques sont alors réalisées et les résultats en termes de résistance électrique sont comparés avec des résultats expérimentaux. On observe une très forte sous estimationde la résistance électrique, et donc des élévations de température. Ce constat est attribué à la présence de films isolants en surface d'une au moins des surfaces de contact.Enfin, des modèles qui incluent un film isolant sont développés avec une géométrie simplifiée d'aspérité. Les modèles les plus intéressants incluent des "nanospots": le film isolant est parsemé de zones conductrices, de très faibles dimensions. Les résultats permettent de cerner les caractéristiques typiques possibles de la géométrie dans cette configuration.